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高光譜相機(jī)在工業(yè)檢測(cè)中的應(yīng)用：晶圓測(cè)試報(bào)告

發(fā)布時(shí)間:2025-11-07

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本次的樣品為硅薄片，分別是Si一片，SiC三片

圖片2.png

本次測(cè)試采用高光譜顏色測(cè)量設(shè)備進(jìn)行測(cè)量

高光譜相機(jī)覆蓋900~1700nm波長(zhǎng)范圍

采用線性推掃成像方案

照明光源采用鹵素光源

將樣品放置傳送帶上

高光譜圖像

圖片3.png

高光譜曲線

晶圓的反射率曲線如右圖所示：

Si在1200nm-1600nm之間，反射率基本上在0.6左右

SiC在1200nm-1600nm之間，反射率基本上在0.1左右

圖片4.png

結(jié)論：Si與SiC的反射率存在明顯的差異

獲取更多實(shí)驗(yàn)報(bào)告或了解高光譜產(chǎn)品，

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